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參數(shù)資料
| 型號： | M36W832BE85ZA1S |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
| 文件頁數(shù)： | 36/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832BE85ZA1S |
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M36W832TE, M36W832BE
Figure 21. SRAM Low VDDS Data Retention AC Waveforms, E1S Controlled
Figure 22. SRAM Low VDDS Data Retention AC Waveforms, E2S Controlled
Table 22. SRAM Low VDDS Data Retention Characteristic
Note: 1. Sampled only. Not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
IDDDR
Supply Current (Data Retention)
VDDS = 1.5V, E1S ≥ VDDS – 0.3V,
VIN ≥ VDDS – 0.3V or VIN ≤ 0.3V
No input may exceed VDDS + 0.3V
420
A
VDR
Supply Voltage (Data Retention)
1.5
3.3
V
tCDR
Chip Disable to Power Down
0
ns
tR
Operation Recovery Time
70
ns
AI07970
E1S
tCDR
VDDS
tR
DATA RETENTION MODE
VDDS (min)
VDR > 1.5V
E1S > VDDS - 0.3V and E2S < 0.3V
or E2S > VDDS - 0.3V
AI07982
E2S
tCDR
VDDS
tR
DATA RETENTION MODE
VDDS (min)
VDR > 1.5V
E2S < 0.3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36W832BE85ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BEZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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