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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M30LW128D110ZE1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 128兆位（兩個(gè)64兆比特，x8/x16，統(tǒng)一座，快閃記憶體）3V電源，多記憶體產(chǎn)品 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | M30LW128D110ZE1T |
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M30LW128D
30/57
Table 15. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±5
μA
I
DD
Supply Current (Random Read)
E = V
IL
, f=5MHz
20
mA
I
DDO
Supply Current (Page Read)
E = V
IL
, f=33MHz
29
mA
I
DD1
Supply Current (Standby)
E = V
IH
, RP = V
IH
80
μ
A
I
DD5
Supply Current (Auto Low-Power)
E = V
IL
, RP = V
IH
80
μ
A
I
DD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = V
IL
80
μA
I
DD3
Supply Current (Program or Erase,
Block Protect, Block Unprotect)
Program or Erase operation in
progress
30
mA
I
DD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = V
IH
80
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.3V
DDQ
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
DDQ
V
DDQ
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.2
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.2
V
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2
V
V
PENH
V
PEN
Supply Voltage (block erase,
program and block protect)
2.7
3.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30LW128D110ZE6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M34559G6 | SINGLE-CHIP 4-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M34571G4 | SINGLE-CHIP 4-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M3488Q1 | 256 x 256 DIGITAL SWITCHING MATRIX |
| M3488 | 256 x 256 DIGITAL SWITCHING MATRIX |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30LW128D110ZE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
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