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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0ZAQ |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 8/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1363K |
| 代理商： | M30L0R8000B0ZAQ |
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M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
8/83
Figure 2. Logic Diagram
Table 1. Signal Names
AI08496
24
A0-A23
W
DQ0-DQ15
VDD
M30L0R8000T0
M30L0R8000B0
E
VSS
16
G
RP
WP
VDDQVPP
L
K
WAIT
VSSQ
A0-A23
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Outputs, Command
Inputs
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset
WP
Write Protect
K
Clock
L
Latch Enable
WAIT
Wait
V
DD
Supply Voltage
V
DDQ
Supply Voltage for Input/Output
Buffers
V
PP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
V
SS
Ground
V
SSQ
Ground Input/Output Supply
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R8000T0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30LW128D | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110N6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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