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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R7000T0ZAQF |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| 中文描述： | 128兆位（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)），1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 27/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1329K |
| 代理商： | M30L0R7000T0ZAQF |
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27/83
M30L0R7000T0, M30L0R7000B0
Table 10. Configuration Register
Bit
Description
Value
Description
CR15
Read Select
0
Synchronous Read
1
Asynchronous Read (Default at power-on)
CR14
Reserved
CR13-CR11
X-Latency
010
2 clock latency
011
3 clock latency
100
4 clock latency
101
5 clock latency
111
Reserved (default)
Other configurations reserved
CR10
Wait Polarity
0
WAIT is active Low
1
WAIT is active high (default)
CR9
Data Output
Configuration
0
Data held for one clock cycle
1
Data held for two clock cycles (default)
CR8
Wait Configuration
0
WAIT is active during wait state
1
WAIT is active one data cycle before wait state (default)
CR7
Burst Type
0
Reserved
1
Sequential (default)
CR6
Valid Clock Edge
0
Falling Clock edge
1
Rising Clock edge (default)
CR5-CR4
Reserved
CR3
Wrap Burst
0
Wrap
1
No Wrap (default)
CR2-CR0
Burst Length
001
4 Words
010
8 Words
011
16 Words
111
Continuous (default)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R7000T0ZAQT | CAP 0.22UF 50V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| M30L0R7000B0ZAQT | CAP 0.047UF 100V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| M30L0R8000T0ZAQ | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQF | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQT | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R7000T0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000XX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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