參數(shù)資料
型號： M2Y51264TU88A2G-37B
廠商： NANYA TECHNOLOGY CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
封裝： ROHS COMPLIANT, DIMM-240
文件頁數(shù)： 4/19頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： M2Y51264TU88A2G-37B
M2Y51264TU88A2G/ M2Y1G64TU8HA2G
512MB: 64M x 64 / 1GB: 128M x 64
Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
REV 1.0
12
6/2006
NANYA TECHNOLOGY CORP.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
ODT DC Electrical Characteristics
Parameter/Condition
Symbol
Min.
Nom.
Max.
Units
Note
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75ohm
Rtt1(eff)
60
75
90
ohm
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150ohm
Rtt2(eff)
120
150
180
ohm
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50ohm
Rtt3(eff)
40
50
60
ohm
1
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
Delta VM
-6
+6
%
1
Note1: Test condition for Rtt measurements.
Input AC/DC logic level
DDR2-533
DDR2-667
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
VIH (AC) Input High (Logic1) Voltage
VREF +
0.250
-
VREF +
0.200
-
V
VIL (AC) Input Low (Logic0) Voltage
-
VREF -
0.250
-
VREF -
0.200
V
VIH (DC) Input High (Logic1) Voltage
VREF +
0.125
VDDQ + 0.3
VREF +
0.125
VDDQ + 0.3
V
VIL (DC) Input Low (Logic0) Voltage
-0.3
VREF -
0.125
-0.3
VREF -
0.125
V
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PDF描述
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