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參數資料
| 型號： | M2V12D20TP-75L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 512M雙數據速率同步DRAM |
| 文件頁數： | 36/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 754K |
| 代理商： | M2V12D20TP-75L |
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MITSUBISHI
ELECTRIC
-36-
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
Feb. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.1.1)
MITSUBISHI ELECTRIC
The purpose of CLK suspend is power down. CKE is synchronous input except during the self-
refresh mode. A command at cycle is ignored. From CKE=H to normal function, DLL recovery time
is NOT required when the stable CLK is supplied during the power down mode.
[Power DOWN]
/CLK
CLK
Power Down by CKE
Command
PRE
CKE
Command
ACT
CKE
Standby Power Down
NOP
NOP
Valid
NOP
NOP
Valid
Active Power Down
DM is defined as the data mask for write data. During the writes, DM masks the input data
cycle by cycle. Latency of DM to write mask is 0.
[DM CONTROL]
DM Function(BL=8,CL=2)
Command
DQS
DQ
DM
WRITE
READ
D0
D1
D3 D4
D5 D6
D7
masked by DM=H
Don't Care
Q2
Q3
Q4
Q5
/CLK
CLK
Q0
Q1
Q6
tXPNR/tXPRD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V12D30TP | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V12D30TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D20TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M2V28D20ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D20ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D30ATP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2V28D40ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM |
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