參數(shù)資料
型號(hào)： M29F400T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory(4Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 的4Mb（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）單電源閃存（4Mb的閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 24K
代理商： M29F400T
B29F400/807
Completedata availableon
DATA-on-DISCCD-ROM
orat
www.st.com
1/3
M29F400T
M29F400B
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)
Single Supply Flash Memory
DATABRIEFING
5V
±
10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,
ERASE and READOPERATIONS
FASTACCESS TIME: 55ns
FASTPROGRAMMING TIME
– 10
μ
s by Byte / 16
μ
s byWord typical
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
– ProgramByte-by-Byteor Word-by-Word
– StatusRegister bits and Ready/BusyOutput
MEMORYBLOCKS
– BootBlock (Top or Bottomlocation)
– Parameterand Main blocks
BLOCK, MULTI-BLOCKand CHIPERASE
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program anotherBlockduring
Erase Suspend
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-byand AutomaticStand-by
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES per
BLOCK
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code, M29F400T:00D5h
– Device Code, M29F400B:00D6h
DESCRIPTION
The M29F400 is a non-volatile memory that may
be erasedelectricallyat theblock or chipleveland
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-
by-Word basis using only a single 5V V
CC
supply.
For Program and Erase operationsthe necessary
high voltages are generatedinternally. The device
can also be programmed in standard program-
mers.
The arraymatrix organisationallows each blockto
be erased and reprogrammed without affecting
otherblocks. Blocks can be protectedagainst pro-
graming and erase on programming equipment,
and temporarily unprotected to make changes in
the application.
AI01726B
18
A0-A17
W
DQ0-DQ14
VCC
M29F400T
M29F400B
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
Logic Diagram
44
1
SO44 (M)
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W004B 4Mbit (512Kb x8, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W004T 4Mbit (512Kb x8, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W008AB 8Mbit(1Mbx8, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W008AT 8Mbit(1Mbx8, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W008B 8 Mbit (1Mb x8, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8 M位 (1Mb x8,導(dǎo)入塊)低壓?jiǎn)坞娫撮W速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29F512B45K1 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F512B45NZ1 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F512B70K1 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F800AB70M1 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F800AT70N6 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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