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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW128F60ZA6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA6 |
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4 Hardware Protection
M29DW128F
22/93
4
Hardware Protection
The M29DW128F features hardware protection/unprotection. Refer to
Table 9
for details on
hardware block protection/unprotection using V
PP
/WP and RP pins.
4.1
Write Protect
The V
PP
/WP pin protects the four outermost parameter blocks (refer to
Section 2: Signal
descriptions
for a detailed description of the signals).
4.2
Temporary Block Unprotect
When held at V
ID
, the Reset/Block Temporary Unprotect pin, RP, will temporarily unprotect all
the blocks previously protected using a High Voltage Block Protection technique.
Table 9.
Hardware Protection
V
PP
/WP
RP
Function
V
IL
V
IH
4 outermost parameter blocks protected from
Program/Erase operations
V
ID
All blocks temporarily unprotected except the 4
outermost blocks
(1)
1.
The temporary unprotection is valid only for the blocks that have been protected using the High Voltage
Protection Technique (see
Appendix D: High Voltage Block Protection
). The blocks protected using a software
protection method (Standard, Password) do not follow this rules.
V
IH
or V
ID
V
ID
All blocks temporarily unprotected
(1)
V
PPH
V
IH
or V
ID
All blocks temporarily unprotected
(1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70NF1 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70NF1E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F70NF1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F70NF1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
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