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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F60NF1F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 78/93頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60NF1F |
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12 Part numbering
M29DW128F
78/93
Table 37.
CFI Query System Interface Information
1.
The values given in the above table are valid for both packages.
Address
Data
Description
Value
x16
x8
1Bh
36h
0027h
V
CC
Logic Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100mV
2.7V
1Ch
38h
0036h
V
CC
Logic Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100mV
3.6V
1Dh
3Ah
00B5h
V
PP
[Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4HEX value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100mV
11.5V
1Eh
3Ch
00C5h
V
PP
[Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4HEX value in volts
bit 3 to 0BCD value in 10mV
12.5V
1Fh
3Eh
0004h
Typical timeout per single Byte/Word program = 2
n
μs
16μs
20h
40h
0000h
Typical timeout for minimum size write buffer program = 2
n
μs
NA
21h
42h
0009h
Typical timeout per individual block erase = 2
n
ms
512ms
22h
44h
0000h
Typical timeout for full Chip Erase = 2
n
ms
NA
23h
46h
0005h
Maximum timeout for Byte/Word program = 2
n
times typical
512μs
24h
48h
0000h
Maximum timeout for write buffer program = 2
n
times typical
NA
25h
4Ah
0004h
Maximum timeout per individual block erase = 2
n
times typical
8s
26h
4Ch
0000h
Maximum timeout for Chip Erase = 2
n
times typical
NA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60NF1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60NF1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6E | 功能描述:閃存 128 Mbit RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60NF6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60NF6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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