參數(shù)資料
型號： M28W160ECB70ZB6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 43/50頁
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160ECB70ZB6E
43/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Figure 20. Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
Write 20h
AI03541b
Start
Write Block
Address & D0h
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
b4, b5 = 1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
NO
NO
b5 = 0
Erase Error (1)
End
YES
NO
b1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
YES
erase_command ( blockToErase ) {
writeToFlash (any_address, 0x20) ;
writeToFlash (blockToErase, 0xD0) ;
/* only A12-A20 are significannt */
/* Memory enters read status state after
the Erase Command */
} while (status_register.b7== 0) ;
do {
status_register=readFlash (any_address) ;
/* E or G must be toggled*/
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.b4==1) && (status_register.b5==1) )
/* command sequence error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.b5==1) )
/* erase error */
error_handler ( ) ;
}
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W160ECB70ZB6F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECB70ZB6S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECB70ZB6T Trenchmos (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 22 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 3@10V4@5V4.4@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.59 K/W; V<sub>DS</sub>max: 30 V
M28W160ECB70ZB6U TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 56 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 4@10V4.4@5V5.9@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 40 V
M28W160ECB85N1E TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 50 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 5.8@10V6.3@5V6.7@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 55 V
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參數(shù)描述
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M28W160ECB70ZB6U 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16 MBIT (1MB X16, BOOT BLOCK) 3V SUPPLY FLASH MEMORY - Tape and Reel
M28W160ECB70ZB6U TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA
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