參數(shù)資料
型號(hào)： M25PE10-VMP6G
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門(mén)，串行閃存
文件頁(yè)數(shù)： 51/60頁(yè)
文件大?。?/td> 310K
代理商： M25PE10-VMP6G
M25PE20, M25PE10
DC and AC parameters
51/60
Table 21.
AC characteristics (33 MHz operation)
33MHz only available for products marked since week 40 of 2005
(1)
Test conditions specified
in
Table 16
and
Table 17
1.
Details of how to find the date of marking are given in Application Note, AN1995.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, PW, PP, PE,
SE, DP, RDP, WREN, WRDI, RDSR
D.C.
33
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
t
CH(2)
t
CL(2)
2.
t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
t
CLH
Clock High Time
13
ns
t
CLL
Clock Low Time
13
ns
Clock Slew Rate
(3)
(peak to peak)
3.
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
3
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
SHSL
t
SHQZ(3)
t
CSH
S Deselect Time
200
ns
t
DIS
Output Disable Time
12
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
12
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
THSL
Top Sector Lock Setup Time
50
ns
t
SHTL
t
DP(3)
t
RDP(3)
Top Sector Lock Hold Time
100
ns
S to Deep Power-down
3
μ
s
S High to Standby Power mode
30
μ
s
t
PW(4)
4.
When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one
sequence including all the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤
n
≤
256)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2+
n*0.8/256
t
PP(4)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5
ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*0.8/256
t
PE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25PE10-VMP6P 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE10-VMP6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE10-VMP6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE20_07 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE20-VMN6G 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M25PE10-VMP6P 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE10-VMP6TG 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
M25PE10-VMP6TP 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE16 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE16-VMP6G 功能描述:閃存 16 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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