參數(shù)資料
型號： M25PE10-VMP6G
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁數(shù)： 5/60頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： M25PE10-VMP6G
M25PE20, M25PE10
List of figures
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Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
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Logic diagram - previous T7X process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Logic diagram - new T9HX process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
VFQFPN and SO connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Bus master and memory devices on the SPI bus. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
SPI modes supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
M25PE20 block diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
M25PE10 block diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Write Enable (WREN) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Write Disable (WRDI) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Read Identification (RDID) instruction sequence and data-out sequence . . . . . . . . . . . . . 25
Read Status Register (RDSR) instruction sequence and data-out sequence . . . . . . . . . . 27
Write Status Register (WRSR) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Read Data Bytes (READ) instruction sequence and data-out sequence . . . . . . . . . . . . . . 30
Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) instruction sequence
and data-out sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Read Lock Register (RDLR) instruction sequence and data-out Sequence. . . . . . . . . . . . 32
Page Write (PW) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Page Program (PP) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Write to Lock Register (WRLR) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Page Erase (PE) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
SubSector Erase (SSE) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Sector Erase (SE) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Bulk Erase (BE) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Deep Power-down (DP) instruction sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Release from Deep Power-down (RDP) instruction sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Power-up timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
AC measurement I/O waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Serial input timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Top Sector Lock (T7X process) or Write Protect (T9HX process) setup and hold
timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Output timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Reset AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
SO8N – 8 lead Plastic Small Outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . . . . . 56
VFQFPN8 (MLP8), 8-lead Very thin Fine Pitch Quad Flat Package No lead,
6 × 5 mm, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
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PDF描述
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M25PE10-VMP6TG 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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M25PE16 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE16-VMP6G 功能描述:閃存 16 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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