- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377803 > M25PE10-VMN6TP (意法半導體) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | M25PE10-VMN6TP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數： | 29/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | M25PE10-VMN6TP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
29/37
M25PE10, M25PE20
Table 14. AC Characteristics (33MHz operation)
Note: 1. t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
3. When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one sequence including all
the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤
n
≤
256)
4. Details of how to find the date of marking are given in Application Note, AN1995.
33MHz only available for products marked since week 40 of 2005
(4)
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 10.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, PW, PP,
PE, SE, DP, RDP, WREN, WRDI,
RDSR
D.C.
33
MHz
f
R
Clock Frequency for READ
instructions
D.C.
20
MHz
t
CH (1)
t
CLH
Clock High Time
13
ns
t
CL (1)
t
CLL
Clock Low Time
13
ns
Clock Slew Rate
2
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
3
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
SHSL
t
CSH
S Deselect Time
200
ns
t
SHQZ (2)
t
DIS
Output Disable Time
12
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
12
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
THSL
Top Sector Lock Setup Time
50
ns
t
SHTL
Top Sector Lock Hold Time
100
ns
t
DP (2)
S to Deep Power-down
3
μ
s
t
RDP (2)
S High to Standby Power mode
30
μ
s
t
PW
(3)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2+
n*0.8/256
t
PP
(3)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5
ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*0.8/256
t
PE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE20 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMP6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMP6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE16-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M25PE10-VMN6TPBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 1Mbit 128K x 8bit 8ns T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M25PE10-VMN6TPBA TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8SO |
| M25PE10-VMP6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH SERL-SPI 3.3V 1MBIT 128KX8 8NS 8PIN VDFPN EP - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8VFQFPN |
| M25PE10-VMP6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE10-VMP6TG | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。