參數(shù)資料
型號(hào)： M24C32
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 32K Serial IIC Bus EEPROM(32K串行IIC總線EEPROM)
中文描述： 32K的串行IIC總線的EEPROM（32K的串行總線EEPROM的國(guó)際進(jìn)口許可證）
文件頁(yè)數(shù)： 24/35頁(yè)
文件大?。?/td> 330K
代理商： M24C32
DC and AC parameters
M24128, M24C64, M24C32
24/35
Table 16.
Table 17.
DC characteristics (V
CC
= 1.7 V to 5.5 V)
(1)
1.
Preliminary data.
Symbol
Parameter
Test condition
(in addition to those in
Table 10
)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
(SCL, SDA, E2, E1, E0)
V
IN
= V
SS
or
V
CC
device in Standby mode
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
or
V
CC,
SDA in Hi-Z
± 2
μA
I
CC
Supply Current (Read)
V
CC
=1.7 V, f
c
= 400 kHz
0.8
mA
I
CC0
Supply Current (Write)
During t
W
, 1.7 V < V
CC
< 2.5 V
3
(2)
2.
Characterized value, not tested in production.
mA
I
CC1
Standby Supply Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
,
1.7 V < V
CC
< 2.5 V
1
μA
V
IL
Input Low Voltage (SDA,
SCL, WC)
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage (SDA,
SCL, WC)
0.7V
CC
V
CC
+0.6
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 0.7 mA, V
CC
= 1.7 V
0.2
V
AC characteristics (V
CC
= 2.5 V to 5.5 V or V
CC
= 1.8 V to 5.5 V)
Test conditions specified in
Table 11
and
Table 8
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Max.
Unit
f
C
f
SCL
t
HIGH
t
LOW
t
F
t
SU:DAT
t
HD:DAT
t
DH
t
AA
t
SU:STA
t
HD:STA
t
SU:STO
t
BUF
t
WR
Clock Frequency
400
kHz
t
CHCL
t
CLCH
t
DL1DL2(1)
t
DXCX
t
CLDX
t
CLQX
t
CLQV(2)
t
CHDX(3)
t
DLCL
t
CHDH
t
DHDL
t
W
Clock Pulse Width High
600
ns
Clock Pulse Width Low
1300
ns
1.
2.
Sampled only, not 100% tested.
To avoid spurious START and STOP conditions, a minimum delay is placed between SCL=1 and the
falling or rising edge of SDA.
For a reSTART condition, or following a Write cycle.
For production lots assembled from 1
st
July 2007 (data code 727: week27, year 2007), the M24xxx-R
(1.8 V to 5.5 V range) memories are specified with t
W
= 5 ms (instead of 10ms).
SDA Fall Time
20
300
ns
Data In Set Up Time
100
ns
Data In Hold Time
0
ns
Data Out Hold Time
200
ns
Clock Low to Next Data Valid (Access Time)
200
900
ns
3.
4.
Start Condition Set Up Time
600
ns
Start Condition Hold Time
600
ns
Stop Condition Set Up Time
600
ns
Time between Stop condition and next Start condition
1300
ns
Write Time
5
(4)
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25P16-VMN6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3P 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN3TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN6G 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M24C32-BN6 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 5.5V 32K (4Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C32-DFDW6TP 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 32 Kbit I2C EEProm 4kB 2.5V to 5.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C32-DFMC6TG 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 32 Kbit I2C EEProm 4kB 2.5V to 5.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C32-DFMN6TP 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 32 Kbit I2C EEProm 4kB 2.5V to 5.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M24C32-DRDW3TP/K 功能描述:EEPROM I2C 512KB 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K（4K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 線串口 電壓 - 電源:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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