2-178 Revision 4 Single-Ended I/O Characteristics 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low-Voltage Transistor–Transistor L" />
參數(shù)資料
型號： M1AFS600-2FG484I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 106/334頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 4MB FLASH 600K 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 110592
輸入/輸出數(shù)： 172
門數(shù)： 600000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 484-FPBGA（23x23）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁當(dāng)前第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁
Device Architecture
2-178
Revision 4
Single-Ended I/O Characteristics
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
Low-Voltage Transistor–Transistor Logic is a general-purpose standard (EIA/JESD) for 3.3 V
applications. It uses an LVTTL input buffer and push-pull output buffer. The 3.3 V LVCMOS standard is
supported as part of the 3.3 V LVTTL support.
Table 2-102 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH
IOSL
IOSH
IIL1 IIH2
Drive Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3
A4 A4
Applicable to Pro I/O Banks
4 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
4
27
25
10
8 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
8
54
51
10
12 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
12
109
103
10
16 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
16
127
132
10
24 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
24
181
268
10
Applicable to Advanced I/O Banks
2 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
2
27
25
10
4 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
4
27
25
10
6 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
6
54
51
10
8 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
8
54
51
10
12 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
12
109
103
10
16 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
16
127
132
10
24 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
24
181
268
10
Applicable to Standard I/O Banks
2 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
2
27
25
10
4 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
4
27
25
10
6 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
6
54
51
10
8 mA
–0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
8
54
51
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
Figure 2-119 AC Loading
Table 2-103 AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input Low (V)
Input High (V)
Measuring Point* (V)
VREF (typ.) (V)
CLOAD (pF)
03.3
1.4
–
35
Note: *Measuring point = Vtrip. See Table 2-90 on page 2-169 for a complete table of trip points.
Test Point
Enable Path
Data Path
35 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
35 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
35 pF for tHZ / tLZ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AMC31DRTS-S93 CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD
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參數(shù)描述
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M1AFS600-2FGG256ES 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs
M1AFS600-2FGG256I 功能描述:IC FPGA 4MB FLASH 600K 256-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Fusion® 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview 特色產(chǎn)品:Cyclone? IV FPGAs 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:CYCLONE® IV GX LAB/CLB數(shù):9360 邏輯元件/單元數(shù):149760 RAM 位總計(jì):6635520 輸入/輸出數(shù):270 門數(shù):- 電源電壓:1.16 V ~ 1.24 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FBGA（23x23）
M1AFS600-2FGG256PP 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs
M1AFS600-2FGG484 功能描述:IC FPGA 4MB FLASH 600K 484-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27）
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