參數(shù)資料
型號： M13S64164A-6BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
中文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
封裝： 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-60
文件頁數(shù)： 36/49頁
文件大?。?/td> 1526K
代理商： M13S64164A-6BG
ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 36/49
Read with Auto Precharge (@BL=8)
Note 1.
The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of another activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same bank is illegal.
C K E
C S
R A S
C A S
BA 0 , BA 1
W E
DQS( CL= 3)
DQ( CL= 3)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
HIGH
D M
CO M M AN D
A
10
/AP
ADDR
(A0~ An )
BAa
Qa4
Qa5
Qa7
Qa6
BAa
t
R P
Qa0
Qa1
Qa3
Qa2
ACTIVE
READ
C a
Au t o p r e c h ar g e s t a r t
Note1
C L K
C L K
R a
R a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M13S64164A 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M14256 Memory Card IC 256K Bit Serial IIC Bus EEPROM(256K位串行IIC總線EEPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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M13S64164A-6TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6TIG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64322A 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
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