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參數(shù)資料
| 型號： | M13S64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 32/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | M13S64164A-6BG |
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ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 32/49
Current State
CKE
n-1
CKE
n
CS
RAS CAS
WE
Add
Action
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
H
X
X
X
X
Exit Self-Refresh
L
H
L
H
H
H
X
Exit Self-Refresh
L
H
L
H
H
L
X
ILLEGAL
L
H
L
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
L
X
X
X
ILLEGAL
SELF-REFRESHING*
1
L
L
X
X
X
X
X
NOP (Maintain Self-Refresh)
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
X
X
X
X
X
Exit Power Down (Idle after t
PDEX
)
POWER DOWN
L
L
X
X
X
X
X
NOP (Maintain Power Down)
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Function True Table
H
L
L
L
L
H
X
Enter Self-Refresh
H
L
H
X
X
X
X
Exit Power Down
H
L
L
H
H
H
X
Exit Power Down
H
L
L
H
H
L
X
ILLEGAL
H
L
L
H
L
X
X
ILLEGAL
H
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
ALL BANKS IDLE*2
L
L
L
X
X
X
X
Refer to Current State = Power Down
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Function True Table
ANY STATE other
than listed above
ABBREVIATIONS :
H = High Level, L = Low level, V = Valid, X = Don’t Care
Note :
1. CKE Low to High transition will re-enable CLK, CLK and other inputs asynchronously. A minimum setup time must be
satisfied before issuing any command other than EXIT.
2. Power-Down and Self-Refresh can be entered only from All Bank Idle state.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M14256 | Memory Card IC 256K Bit Serial IIC Bus EEPROM(256K位串行IIC總線EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64322A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M-14 | 功能描述:TERM BARRIER 14CIRC DUAL ROW RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - 隔板塊 系列:M 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:Beau™ 38780 端接塊類型:阻隔塊 電路數(shù):15 導(dǎo)線入口數(shù)目:30 間距:0.438"（11.12mm） 行數(shù):2 電流:15A 電壓:300V 線規(guī):14-22 AWG 頂部端子:螺釘 底部端子:焊片 阻擋層類型:雙壁（雙） 特點:法蘭 顏色:黑 包裝:散裝 安裝類型:通孔 工作溫度:- 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT），玻璃纖維增強型 材料可燃性額定值:UL94 V-0 其它名稱:038780-111538780-1115387801115 |
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