參數(shù)資料
型號： M13S64164A-6BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
中文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
封裝： 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-60
文件頁數(shù)： 30/49頁
文件大小： 1526K
代理商： M13S64164A-6BG
ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 30/49
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Idle after t
RP
)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Idle after t
RP
)
L
H
H
L
BA
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
NOP*4 (Idle after t
RP
)
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
PRE-CHARGIN
G
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (ROW Active after t
RCD
)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (ROW Active after t
RCD
)
L
H
H
L
BA
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ / WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
ROW
ACTIVATING
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
BA
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ
ILLEGAL*2
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRITE
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
WRITE
RECOVERING
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M13S64164A 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5BG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-5TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-6TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M14256 Memory Card IC 256K Bit Serial IIC Bus EEPROM(256K位串行IIC總線EEPROM)
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參數(shù)描述
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