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參數資料
| 型號： | M13S64164A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-60 |
| 文件頁數： | 2/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | M13S64164A-6BG |
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ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 2/49
DDR SDRAM
1M x 16 Bit x 4 Banks
Double Data Rate SDRAM
Features
z
JEDEC Standard
z
Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle
z
Bi-directional data strobe (DQS)
z
On-chip DLL
z
Differential clock inputs (CLK and CLK )
z
DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition
z
Quad bank operation
z
CAS Latency : 2, 2.5, 3
z
Burst Type : Sequential and Interleave
z
Burst Length : 2, 4, 8
z
All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)
z
Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)
z
DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE
z
Data mask (DM) for write masking only
z
For 2.5V parts, V
DD
= 2.3V ~ 2.7V, V
DDQ
= 2.3V ~ 2.7V
z
Auto & Self refresh
z
64ms refresh period, 4K cycle
z
SSTL-2 I/O interface
z
66pin TSOPII package
Ordering information :
PRODUCT NO.
MAX FREQ
VDD
PACKAGE
COMMENTS
M13S64164A -5TG
200MHz
M13S64164A -6TG
166MHz
2.5V
66TSOPII
Pb-free
M13S64164A -5BG
200MHz
M13S64164A -6BG
166MHz
2.5V
BGA
Pb-free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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