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參數(shù)資料
| 型號： | M12L2561616A-7TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 32/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A-7TG |
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ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
32/44
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
Note: 1. CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A-7BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A-7TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-7TG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A_0712 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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