參數(shù)資料
型號(hào)： M12L2561616A-7TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 18/44頁(yè)
文件大?。?/td> 908K
代理商： M12L2561616A-7TG
ES MT
4.
CAS
Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
18/44
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
*Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2,BL= 4
R D
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PDF描述
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