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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 45/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6TG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
45/47
PACKING
86 - LEAD
DIMENSIONS
TSOP(II)
DRAM(400mil)
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
ZD
E
E1
L
L1
e
R1
R2
θ
θ
1
θ
2
θ
3
Dimension in mm
Norm
0.10
1.00
0.20
0.127
22.22 BSC
0.61 REF
11.76 BSC
10.16 BSC
0.50
0.80 REF
0.50 BSC
°
15
°
15
Dimension in inch
Norm
0.004
0.039
0.008
0.005
0.875 BSC
0.024 REF
0.463 BSC
0.400 BSC
0.020
0.031 REF
0.020 BSC
°
15
°
15
Min
Max
1.20
0.15
1.05
0.27
0.23
0.21
0.16
Min
Max
0.047
0.006
0.011
0.018
0.009
0.008
0.006
0.05
0.95
0.17
0.17
0.12
0.10
0.002
0.037
0.007
0.007
0.005
0.004
0.40
0.60
0.016
0.024
0.12
0.12
°
0
°
0
10
10
0.005
0.005
°
0
°
0
10
10
0.010
0.25
°
8
°
8
°
°
20
20
°
°
20
20
°
°
°
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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