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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 39/47頁 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6TG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
39/47
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @ CAS Letency = 2 , Burst Length = 4
*Note : 1. DQM is needed to prevent bus contention.
2. t
RCD
should be met.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
Ra
Ca
Cb
C c
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
t
S H Z
Qb1
Qb0
t
S H Z
Dc0
Dc2
*Not e 1
Row Active
Read
Clock
Supension
Read
Read DQM
W r ite
W r ite
DQ M
Clock
Suspension
W r ite
DQ M
:Don't Car e
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
12
13
14
17
15
18
16
19
0
t
RC D
* No t e 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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