參數資料
型號: LT1910ES8
廠商: LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類: MOSFETs
英文描述: Protected High Side MOSFET Driver
中文描述: BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝: 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
文件頁數: 4/12頁
文件大?。?/td> 178K
代理商: LT1910ES8
4
LT1910
sn1910 1910fs
TYPICAL PERFOR U
MOSFET Gate Drive Current
vs V
GATE
– V
+
Fault Threshold Voltage
vs Temperature
Fault Output Low Voltage
vs Temperature
Turn-On Time vs Temperature
Turn-Off Time vs Temperature
Automatic Restart Period
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
F
3.2
3.3
3.4
3.5
3.7
–25
0
25
50
1910 G11
75
100
3.6
3.1
V
IN
= 2V
I
F
= 1mA
FAULT HIGH THRESHOLD
FAULT LOW THRESHOLD
TEMPERATURE (
°
C)
–50
0
F
0.04
0.08
0.12
0.10
–25
0
25
50
1910 G012
75
0.16
0.20
0.02
0.06
0.14
0.18
100
I
F
= 1mA
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
μ
s
150
200
250
300
400
–25
0
25
50
1910 G13
75
100
350
100
V
+
= 24V
V
GATE
= 32V
C
GATE
= 1nF
TEMPERATURE (
°
C)
–50
0
T
μ
s
20
40
60
50
–25
0
25
50
1910 G014
75
80
100
10
30
70
90
100
V
+
= 24V
V
GATE
= 2V
C
GATE
= 1nF
NORMAL
CURRENT LIMIT
TEMPERATURE (
°
C)
–30
10
100
1000
–10
10
30
50
70
1910 G15
A
–50
90
V
+
= 24V
C
T
= 3.3
μ
F
C
T
= 0.33
μ
F
C
T
= 0.1
μ
F
C
T
= 1
μ
F
V
GATE
– V
+
(V)
0
2
4
M
μ
A
1
10
100
6
8
10
12
14
16
1910 G10
0.1
V
+
= 8V
V
+
= 12V V
+
24V
T
A
= 25
°
C
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LT1910ES8PBF 制造商:Linear Technology 功能描述:MOSFET Driver 0.065V High-Side SOIC8