參數(shù)資料
型號(hào)： LT1910ES8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Protected High Side MOSFET Driver
中文描述： BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 12/12頁(yè)
文件大小： 178K
代理商： LT1910ES8
12
LT1910
sn1910 1910fs
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7417
(408) 432-1900
G
FAX: (408) 434-0507
G
www.linear.com
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2002
LT/TP 0403 2K PRINTED IN USA
RELATED PARTS
PART NUMBER
LTC
1153
LTC1155
LT1161
LTC1163
LTC1255
LTC1477
LTC1623
LTC1693 Family
DESCRIPTION
Autoreset Electronic Circuit Breaker
Dual High Side Micropower MOSFET Driver
Quad Protected High Side MOSFET Driver
Triple 1.8V to 6V High Side MOSFET Driver
Dual 24V High Side MOSFET Driver
Protected Monolithic High Side Switch
SMBus Dual High Side Switch Controller
High Speed Single/Dual N-Channel/P-Channel
MOSFET Drivers
SMBus Dual Monolithic High Side Switch
Low Loss PowerPath
TM
Controller
PowerPath and ThinSOT are trademarks of Linear Technology Corporation.
COMMENTS
Programmable Trip Current, Fault Status Output
Operates from 4.5V to 18V, 85
μ
A ON Current, Short-Circuit Protection
8V to 48V Supply Range, Individual Short-Circuit Protection
0.01
μ
A Standby Current, Triple Driver in SO-8 Package
Operates from 9V to 24V, Short-Circuit Protection
Low R
DS(ON)
0.07
Switch, 2A Short-Circuit Protected
2-Wire SMBus Serial Interface, Built-In Gate Charge Pumps
1.5A Peak Output Current, 4.5V
≤
V
CC
≤
13.2V, SO-8 Package
LTC1710
LTC4412
Two Low R
DS(ON)
0.4
/300mA Switches in 8-Lead MSOP Package
Implements “Ideal Diode” Function, ThinSOT
TM
Package
TYPICAL APPLICATIO
U
Protected 1A Automotive Solenoid Driver with Overvoltage Shutdown
FAULT
IN
TIMER
V
+
SENSE
GATE
3
4
2
8
6
5
LT1910
R1
5.1k
5V
FAULT OUTPUT
INPUT
POWER
GROUND
8V TO 24V OPERATING
32V TO 60V SHUTDOWN
GND
Q1
MTD3055EL
24V
1A
SOLENOID
1910 TA03
C1
10
μ
F
100V
C
T
1
μ
F
R3
5.1k
1N4148
2N3904
1
R
0.03
(PTC)
+
R2
10k
30V
1N6011B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1910 Protected High Side MOSFET Driver
LT1920CS8 Precision Instrumentation Amplifier
LT1920IN8 Precision Instrumentation Amplifier
LT1920IS8 Precision Instrumentation Amplifier
LT1920CN8 Precision Instrumentation Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1910ES8#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1910ES8#PBF 制造商:Linear Technology 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH SIDE 制造商:Linear Technology 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
LT1910ES8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSFET HI SIDE 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1910ES8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1910ES8PBF 制造商:Linear Technology 功能描述:MOSFET Driver 0.065V High-Side SOIC8
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*