參數(shù)資料
型號： LLE18100X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： LLE18100X
November 1994
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial microwave
power transistor
LLE18100X
Fig.8 Input impedance as a function of frequency; typical values.
V
CE
= 24 V;
Z
o
= 10
;
I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA247
Zi
1.65
1.75
1.85 GHz
0.2
0.5
1
10
5
2
Fig.9 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values.
V
CE
= 24 V;
Z
o
= 10
;
I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA248
ZL
1.65
1.75
1.85 GHz
0.2
0.5
1
2
10
5
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