參數(shù)資料
型號： LLE18100X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 60K
代理商： LLE18100X
November 1994
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial microwave
power transistor
LLE18100X
Fig.5 Class AB bias circuit at 1.85 GHz.
handbook, full pagewidth
MBC421 - 1
R1
R2
P1
D1
D2
R3
C1
C5
C6
+
VCC
D.U.T.
0 V
TR1
L2
L1
PREMATCHINGTEST CIRCUIT
BIAS CIRCUIT
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V
f = 1.85 GHz
handbook, halfpage
0
5
10
0
0.4
PL
(W)
0.8
PIN (W)
1.2
1.6
MRA543
ICQ = 100 mA
10 mA
3 mA
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V
f = 1.85 GHz
handbook, halfpage
(dBc)
45
40
35
30
25
20
0
2
4
POUT (W)
6
8
MRA542
ICQ = 3 mA
30 mA
100 mA
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