參數(shù)資料
型號(hào)： LET20030C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
中文描述： RF功率晶體管LDMOS的增強(qiáng)技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： LET20030C
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LET20030C
TYPICAL PERFORMANCE
Power Gain vs. Output
Power
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
Pout (W)
G
f = 2 GHz
Vcc = 26 V
Idq = 200 mA
Efficiency
vs.
Output Power
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
Pout (W)
N
f = 2 GHz
Vcc = 26 V
Idq = 200 mA
IMD3
vs.
Output Power
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Pout (W PEP)
I
Vcc = 26 V
Idq = 200 mA
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PDF描述
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