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參數(shù)資料
| 型號： | LBE2003S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | LBE2003S |
1997 Mar 03
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S;
LCE2009S
Fig.8 Load power as a function of input power.
f = 2 GHz; T
mb
= 25
°
C.
V
CE
= 18 V; I
C
= 30 mA.
(1) G
po
= 11 dB.
handbook, halfpage
0
typ
10
30
0
100
200
20
MGD992
PL
(mW)
Pi (mW)
(1)
PL1
Fig.9
s
12
as a function of collector current.
handbook, halfpage
0
IC (mA)
20
40
80
0
60
5
typ
MGD993
S12
(dB)
Class-A operation.
f = 2 GHz; T
mb
= 25
°
C; V
CE
= 18 V.
LCE2009S IS A MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| LC-155B2M1T | Telecommunication IC |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LBE63C-T2V1-35-R33-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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