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參數(shù)資料
| 型號： | LBE2003S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | LBE2003S |
1997 Mar 03
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S;
LCE2009S
Table 2
Scattering parameters LBE2009S; LCE2009S: V
CE
= 18 V; I
C
= 110 mA (V
CE
and I
C
regulated); T
mb
= 25
°
C;
Z
o
= 50
; typical values. (The figures given between brackets are values in dB).
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
0.029 (
30.7)
0.033 (
29.6)
0.036 (
29.0)
0.039 (
28.4)
0.041 (
27.8)
0.045 (
27.0)
0.049 (
26.2)
0.054 (
25.4)
0.060 (
24.5)
0.066 (
23.6)
0.070 (
23.1)
0.075 (
22.5)
0.080 (
21.9)
0.084 (
21.5)
0.087 (
21.2)
0.090 (
20.9)
0.100 (
20.0)
0.112 (
19.0)
0.123 (
18.2)
0.129 (
17.8)
0.134 (
17.5)
0.143 (
16.9)
0.152 (
16.4)
0.163 (
15.8)
0.168 (
15.5)
0.175 (
15.2)
0.180 (
14.9)
0.193 (
14.3)
0.200 (
14.0)
0.211 (
13.5)
0.214 (
13.4)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
48
50
52
54
56
59
62
65
74
79
80
83
87
90
94
97
109
122
133
143
151
163
173
178
173
168
162
155
149
145
144
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
5000
0.70
0.70
0.70
0.70
0.71
0.71
0.71
0.71
0.71
0.72
0.72
0.72
0.72
0.73
0.73
0.74
0.75
0.77
0.79
0.80
0.81
0.83
0.85
0.86
0.87
0.88
0.88
0.89
0.90
0.90
0.90
177
171
168
163
159
155
151
148
144
143
136
133
130
127
123
120
114
108
103
97
92
88
85
82
79
75
71
69
66
64
61
50
51
53
54
54
55
54
54
53
54
52
53
51
49
48
46
43
40
37
33
30
26
24
20
17
14
11
8
5
2
2
7.55 (17.6)
6.43 (16.2)
5.46 (14.6)
4.80 (13.6)
4.27 (12.6)
3.84 (11.7)
3.53 (11.0)
3.27 (10.3)
3.01 (9.6)
2.80 (9.0)
2.61 (8.3)
2.47 (7.9)
2.33 (7.3)
2.18 (6.8)
2.05 (6.3)
1.97 (5.9)
1.78 (5.0)
1.63 (4.3)
1.51 (3.6)
1.36 (2.7)
1.28 (2.1)
1.15 (1.2)
1.10 (0.9)
1.00 (0)
0.96 (
0.4)
0.88 (
1.1)
0.83 (
1.6)
0.79 (
2.1)
0.74 (
2.6)
0.71 (
3.0)
0.66 (
3.6)
83
77
73
68
64
60
56
52
48
45
41
38
34
30
26
23
15
10
2
4
11
17
21
28
32
39
42
48
51
56
59
0.25
0.22
0.23
0.22
0.22
0.21
0.21
0.21
0.20
0.20
0.21
0.21
0.22
0.22
0.22
0.22
0.22
0.21
0.24
0.25
0.27
0.28
0.30
0.34
0.37
0.41
0.42
0.45
0.48
0.52
0.55
LCE2009S IS A MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LBX2000 | Peripheral IC |
| LBX2100 | Peripheral IC |
| LC-155B2J1T | Telecommunication IC |
| LC-155B2M1T | Telecommunication IC |
| LC-FSLC-045P-0407A | 450 MHz Band Chip Multilayer 90deg. / 3dB Splitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LBE2009S | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors |
| LBE63C | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-S2U1-35 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-T2V1-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q65110A1852_POWER TOPLED - ROHS 制造商:OSRAM 功能描述:Power TOPLED Blue,LB E63C-T2V1-35 |
| LBE63C-T2V1-35-R33-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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