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參數(shù)資料
| 型號： | LBE2003S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | LBE2003S |
1997 Mar 03
13
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S;
LCE2009S
UNIT
A
max.
D1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
4.0
8-32
UNC
α
90
°
SOT442A
97-02-28
b
L
detail X
D
b
3.2
b1
0.75
c
0.125
M1
1.6
1.4
M
3.27
3.01
1.6
N2
N3
min
2.9
8.5
7.5
Q
2.80
2.50
D2
6
L
min.
N1
max.
12.5
N
max.
0
5
10 mm
scale
5.25
5.10
3.38
3.08
5.28
5.12
M
W
Q
A
N2
N
N1
N3
D1
seating plane
M1
D2
D
c
X
1
4
3
2
Studded ceramic package; 4 leads
SOT442A
L
b1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. This device corporates naked beryllium oxide, the dust of witch is toxic.
α
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LBX2000 | Peripheral IC |
| LBX2100 | Peripheral IC |
| LC-155B2J1T | Telecommunication IC |
| LC-155B2M1T | Telecommunication IC |
| LC-FSLC-045P-0407A | 450 MHz Band Chip Multilayer 90deg. / 3dB Splitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LBE2009S | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors |
| LBE63C | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-S2U1-35 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-T2V1-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q65110A1852_POWER TOPLED - ROHS 制造商:OSRAM 功能描述:Power TOPLED Blue,LB E63C-T2V1-35 |
| LBE63C-T2V1-35-R33-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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