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參數(shù)資料
| 型號： | L6382D5 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST |
| 中文描述： | 電源管理單元的微控鎮(zhèn)流器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | L6382D5 |
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L6382D5
Notes: 1. Specification over the -40°C to +125°C junction temperature range are ensured by design, characterization and statistical corre-
lation.
Symbol
Pin
Parameter
Test condition
min.
typ
max
UNIT
VREF
V
REF
20
Reference voltage
15mA load.
4.9
5
5.1
V
15mA load, (1)
4.85
5.15
V
20
Load regulation
IRef = -3 to +30 mA
-20
2
mV
20
Voltage change
15mA load; Vcc = 9V to 15V
15
mV
20
V
REF
latched protection
3.2
V
20
V
REF
Clamp @3mA
V
CC
from 0 to V
CCON
during
start-up; Vcc from V
REF(OFF)
to
0 during shut-down; V
REF
<2V
1.2
V
I
REF
20
Current Drive Capability
-3
+30
mA
Save mode
-3
+10
mA
OVERCURRENT BUFFER STAGE
V
CSI
19
Comparator Level
Bandgap
0.52
0.54
0.56
V
I
CSI
19
Input Bias Current
500
nA
Propagation delay
CSO turn off to LSG low
200
ns
18
High output voltage
I
CSO
= 200
μ
A
V
REF
-
0.5V
18
Low output voltage
I
CSO
= -150
μ
A
0.5
V
DIM
Normal Mode Time Out
65
100
135
μs
Vref enabling drivers
4.6
V
T
ED
Time enabling drivers
10
μs
LOGIC INPUT
1 to 4
Low Level Logic Input
Voltage
1.3
V
1 to 4
High Level Logic Input
Voltage
3.7
V
LGI
Pull down resistor
100
K
Table 5. Electrical Characteristcs
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L6382D5TR | POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST |
| L6382D | Power management unit for microcontrolled ballast |
| L6382DTR | Power management unit for microcontrolled ballast |
| L6384 | High-Voltage Half Bridge Driver(高電壓半橋驅(qū)動器) |
| L6385 | High-Voltage High and Low Side Driver(高電壓高低邊驅(qū)動器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| L6382D5TR | 功能描述:功率因數(shù)校正 IC Pwr management unit RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel |
| L6382DTR | 功能描述:電池管理 Pwr management unit RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel |
| L6384 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| L6384 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8 |
| L6384D | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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