參數(shù)資料
型號(hào)： L6382D5
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST
中文描述： 電源管理單元的微控鎮(zhèn)流器
文件頁(yè)數(shù)： 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： L6382D5
L6382D5
6/14
Symbol
Pin
Parameter
Test condition
min.
typ
max
UNIT
Source Current
Capability
LSG
120
mA
HEG
70
PFG
250
T
RISE
5, 9, 17
Rise time
Cload = 1nF
TBD
ns
T
FALL
5, 9, 17
Fall time
Cload = 1nF
TBD
ns
T
DELAY
Propagation delay (input
to output)
LSG; high to low and low to
high
300
ns
HEG; high to low and low to
high
200
ns
PFG; high to low
250
ns
PFG; low to high
200
ns
R
B
Pull down Resistor
LSG
20
K
HEG
50
K
PFG
10
K
HSG DRIVER (VOLTAGES REFERRED TO OUT)
V
OH(HS)
12
HIGH Output Voltage
IHSG = 10 mA
V
CC
-0.5
V
V
OL(HS)
12
LOW Output Voltage
IHSG = 10 mA
0.5
V
12
Sink Current Capability
120
mA
12
Source Current
Capability
120
mA
T
RISE
12
Rise time
Cload = 1nF
TBD
ns
T
FALL
12
Fall time
Cload = 1nF
TBD
ns
T
DELAY
12
Propagation delay (LGI to
LSG)
high to low and low to high
300
ns
R
B
12
Pull down Resistor
to OUT
20
K
HIGH-SIDE FLOATING GATE-DRIVER SUPPLY
I
LKBOOT
11
V
BOOT
current
pin
leakage
V
BOOT
= 580V
5
μA
I
LKOUT
13
OUT pin leakage current
V
OUT
= 562V
5
μA
R
DS(on)
Synchronous bootstrap
diode on-resistance
V
LVG
= HIGH
100
Forward Voltage Drop
at 10 mA forward current
1.9
2.4
V
Forward Current
at 5V forward voltage drop
25
mA
Table 5. Electrical Characteristcs
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
L6382D5TR POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST
L6382D Power management unit for microcontrolled ballast
L6382DTR Power management unit for microcontrolled ballast
L6384 High-Voltage Half Bridge Driver(高電壓半橋驅(qū)動(dòng)器)
L6385 High-Voltage High and Low Side Driver(高電壓高低邊驅(qū)動(dòng)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
L6382D5TR 功能描述:功率因數(shù)校正 IC Pwr management unit RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開(kāi)關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
L6382DTR 功能描述:電池管理 Pwr management unit RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel
L6384 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
L6384 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8
L6384D 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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