型號: | L6382D5 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST |
中文描述: | 電源管理單元的微控鎮(zhèn)流器 |
文件頁數: | 5/14頁 |
文件大?。?/td> | 206K |
代理商: | L6382D5 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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L6382D5TR | POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST |
L6382D | Power management unit for microcontrolled ballast |
L6382DTR | Power management unit for microcontrolled ballast |
L6384 | High-Voltage Half Bridge Driver(高電壓半橋驅動器) |
L6385 | High-Voltage High and Low Side Driver(高電壓高低邊驅動器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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L6382D5TR | 功能描述:功率因數校正 IC Pwr management unit RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel |
L6382DTR | 功能描述:電池管理 Pwr management unit RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel |
L6384 | 功能描述:功率驅動器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
L6384 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8 |
L6384D | 功能描述:功率驅動器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |