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參數資料
| 型號： | L29S800F |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 8MEGABIT (1M】8 /512K】16) 3 VOLT CMOS FLASH MEMERY |
| 中文描述： | 8MEGABIT（100萬】8 / 16】為512k）3伏的CMOS閃存MEMERY |
| 文件頁數： | 30/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 797K |
| 代理商： | L29S800F |
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L29S800F
PRELIMINARY
A
8MEGABIT (1M×8 /512K×16)
3 VOLT CMOS FLASH MEMERY
LinkSmart
30
071802
Write/Erase/Program Operations
Parameter Symbols
L29S800F/-B
JEDEC
Standard
Description
-70
-90
-12
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
Read
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable Hold
Time
Toggle and
Data
Polling Min.
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE
Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE
Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE
Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE
Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE
Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
25
25
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE
Pulse Width High
Min.
25
25
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Min.
8
8
8
ns
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Min.
1
1
1
ns
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μ
s
—
t
VIDR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
500
sec
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE
Setup Time to
WE
Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE
Setup Time to
WE
Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
RB
Recover Time From RY/
BY
Min.
0
0
0
ns
—
t
RP
RESET
Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
RH
RESET
Hold Time Before Read
Min.
200
200
200
ns
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PDF描述 |
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參數描述 |
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