參數(shù)資料
型號(hào): KSD882Y
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Audio Frequency Power Amplifier
中文描述: 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 48K
代理商: KSD882Y
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD985 Audio Frequency Power Amplifier
KSE13003T High Voltage Switch Mode Applications
KSE13003 High Voltage Switch Mode Applications
KSE13004 High Voltage Switch Mode Application
KSE13005H2ATU High Voltage Switch Mode Application
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD882YS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD92 制造商:OTAX Corporation 功能描述: