參數(shù)資料
型號(hào)： KSD882Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： KSD882Y
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector- Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classificntion
Classification
h
FE2
Parameter
Value
40
30
5
3
7
0.6
10
1
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 30V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 20mA
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
E
= 0.1A
V
CB
= 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
1
1
Units
μ
A
μ
A
*DC Current Gain
30
60
150
160
0.3
1.0
90
45
400
0.5
2.0
V
V
MHz
pF
R
O
Y
G
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
200 ~ 400
KSD882
Audio Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching
Complement to KSB772
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD985 Audio Frequency Power Amplifier
KSE13003T High Voltage Switch Mode Applications
KSE13003 High Voltage Switch Mode Applications
KSE13004 High Voltage Switch Mode Application
KSE13005H2ATU High Voltage Switch Mode Application
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD882YS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD92 制造商:OTAX Corporation 功能描述:
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