參數(shù)資料
型號: KSD882Y
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Audio Frequency Power Amplifier
中文描述: 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商: KSD882Y
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Safe Operating Area
0
4
8
12
16
20
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 2mA
I
B
= 1mA
I
B
= 3mA
I
B
= 4mA
I
B
= 5mA
I
B
= 6mA
I
B
= 9mA
I
B
= 8mA
I
B
= 7mA
I
B
= 10mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
f
T
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
10
100
1000
I
E
=0
f=1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
100
0.01
0.1
1
10
SbLmted
Dsspaton Lmted
10ms
100u
I
C
MAX. (pulse)
I
C
MAX. (DC)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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KSD882YSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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