參數(shù)資料
型號(hào)： KSD985
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 1500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： KSD985
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
: KSD985
: KSD986
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Value
150
Units
V
Collector-Emitter Volage
60
80
8.0
1.5
3.0
0.15
1.0
10
150
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
- 55 ~ 150
Test Condition
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
CE
= 60V, R
BE
= 51
@ T
C
= 125
°
C
V
CE
= 60V, V
BE
(off) = -1.5A
V
CE
= 60V, V
BE
(off) = -1.5A
@ T
C
= 125
°
C
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
I
C
= 1A, I
B
= 1mA
I
C
= 1A, I
B
= 1mA
V
CC
= 50V, I
C
= 1A
I
B1
= - I
B2
= 1mA
R
L
= 50
Min.
Typ.
Max.
10
1.0
Units
μ
A
mA
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
10
1.0
μ
A
mA
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
t
ON
t
STG
t
F
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
1.0
mA
1000
2000
30000
1.5
2.0
*Collector-Emitter Saturation Voltage
*Base-Emitter Saturation Voltage
Turn ON Time
Storage Time
Fall Time
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
0.5
1.0
1.0
R
O
Y
h
FE2
2000 ~ 5000
4000 ~ 10000
8000 ~ 30000
KSD985/986
Low Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching Industrial Use
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSD985OSTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSD986 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier
KSD986OS 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSD986YS 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSD986YSTSSTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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