參數(shù)資料
型號： KSD882R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： KSD882R
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Safe Operating Area
0
4
8
12
16
20
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 2mA
I
B
= 1mA
I
B
= 3mA
I
B
= 4mA
I
B
= 5mA
I
B
= 6mA
I
B
= 9mA
I
B
= 8mA
I
B
= 7mA
I
B
= 10mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
f
T
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
10
100
1000
I
E
=0
f=1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
100
0.01
0.1
1
10
SbLmted
Dsspaton Lmted
10ms
100u
I
C
MAX. (pulse)
I
C
MAX. (DC)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD882Y Audio Frequency Power Amplifier
KSD985 Audio Frequency Power Amplifier
KSE13003T High Voltage Switch Mode Applications
KSE13003 High Voltage Switch Mode Applications
KSE13004 High Voltage Switch Mode Application
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD882RS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882Y 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier
KSD882YS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD882YSTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*