參數(shù)資料
型號(hào)： KSD882R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： KSD882R
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector- Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classificntion
Classification
h
FE2
Parameter
Value
40
30
5
3
7
0.6
10
1
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 30V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 20mA
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
E
= 0.1A
V
CB
= 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
1
1
Units
μ
A
μ
A
*DC Current Gain
30
60
150
160
0.3
1.0
90
45
400
0.5
2.0
V
V
MHz
pF
R
O
Y
G
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
200 ~ 400
KSD882
Audio Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching
Complement to KSB772
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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PDF描述
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參數(shù)描述
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