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參數(shù)資料
| 型號： | KM41C4000D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| 中文描述： | 4米× 1位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 1位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶快速頁模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | KM41C4000D |
KM41C4000D, KM41V4000D
CMOS DRAM
TEST MODE CYCLE
( Note 11 )
Note) *1 : 5V only
Parameter
Symbol
-5
*1
-6
-7
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
95
115
135
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
113
135
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
55
65
75
ns
3,4,10
Access time from CAS
t
CAC
18
20
25
ns
3,4,5
Access time from column address
t
AA
30
35
40
ns
3,10
RAS pulse width
t
RAS
55
10K
65
10K
75
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
18
10K
20
10K
25
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
18
20
25
ns
CAS hold time
t
CSH
55
65
75
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
30
35
40
ns
CAS to W delay time
t
CWD
18
20
25
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
55
65
75
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
30
35
40
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
40
45
50
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle
t
PRWC
58
65
75
ns
RAS pulse width (Fast Page cycle)
t
RASP
55
200K
65
200K
75
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
35
40
45
ns
3
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