參數(shù)資料
型號： KM41C16000C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
中文描述： 1,600 x1Bit的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器的快速頁面模式（1,600 x1位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（帶快速頁模式））
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大小： 293K
代理商： KM41C16000C
CMOS DRAM
KM41C16000C, KM41V16000C
V
CC
D
N.C
W
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
Q
N.C
CAS
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin Function
A0 - A11
Address Inputs (4K Product)
D
Data In
Q
Data Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
W
Read/Write Input
V
CC
Power(+5.0V)
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
V
CC
D
N.C
W
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
Q
N.C
CAS
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
K:300mil 26(24) SOJ
S:300mil 26(24) TSOP II
KM41C/V16000CK
KM41C/V16000CS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM41V16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM41C4000D 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM4200IC8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8TR3 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM41C16000CK-6T 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KM41C256P-8 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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KM41C464P-10 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 64K x 4, 18 Pin, Plastic, DIP 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 64K x 4, 18 Pin, Plastic, DIP
KM41C464P-8 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 64K x 4, 18 Pin, Plastic, DIP
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