參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271BTQ(R)-8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
中文描述： 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 22/51頁(yè)
文件大?。?/td> 1033K
代理商： KM4132G271BTQ(R)-8
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 22
Rev. 2.4 (May 1998)
Note 3
Auto Precharge Starts
*Note :
1. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
2. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only another bank precharge of dual banks operation.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 2
Note 1
*Note :
1. t
BPL
: Block write data-in to PRE command delay
2. Number of valid output data after Row Precharge : 1, 2 for CAS Latency =2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
6. Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
t
RDL
Note 1
3) Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
7. Auto Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
1) Normal Write (BL=4)
Note 3
Auto Precharge Starts
3) Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
Pixel
CLK
CMD
DQ
BW
PRE
2) Block Write
t
BPL
Note 1
CLK
CMD
DQ
(CL 2, 3)
2) Block Write
Pixel
BW
t
BPL
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM4132G271B 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
KM4132G271BQ(R)-10 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
KM4132G271BQ(R)-7 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
KM4132G271BQ(R)-8 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
KM4132G271BTQ-8 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
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參數(shù)描述
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KM4132G271Q10 制造商:SAMSUNG 功能描述:*
KM4132G51207 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
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