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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271BTQ(R)-8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 13/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BTQ(R)-8 |
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KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 13
Rev. 2.4 (May 1998)
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial address
Sequential
Interleave
A
1
A
0
0
0
0
1
2
3
0
1
2
3
0
1
1
2
3
0
1
0
3
2
1
0
2
3
0
1
2
3
0
1
1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial address
Sequential
Interleave
A
2
A
1
A
0
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
1
2
3
4
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6
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0
1
0
3
2
5
4
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6
0
1
0
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
0
1
6
7
4
5
0
1
1
3
4
5
6
7
0
1
2
3
2
1
0
7
6
5
4
1
0
0
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
1
0
1
5
6
7
0
1
2
3
4
5
4
7
6
1
0
3
2
1
1
0
6
7
0
1
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3
4
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6
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5
2
3
0
1
1
1
1
7
0
1
2
3
4
5
6
7
6
5
4
3
2
1
0
PIXEL to DQ MAPPING(at BLOCK WRITE)
Column address
3 Byte
2 Byte
1 Byte
0 Byte
A
2
A
1
A
0
I/O
31
- I/O
24
I/O
23
- I/O
16
I/O
15
- I/O
8
I/O
7
- I/O
0
0
0
0
DQ
24
DQ
16
DQ
8
DQ
0
0
0
1
DQ
25
DQ
17
DQ
9
DQ
1
0
1
0
DQ
26
DQ
18
DQ
10
DQ
2
0
1
1
DQ
27
DQ
19
DQ
11
DQ
3
1
0
0
DQ
28
DQ
20
DQ
12
DQ
4
1
0
1
DQ
29
DQ
21
DQ
13
DQ
5
1
1
0
DQ
30
DQ
22
DQ
14
DQ
6
1
1
1
DQ
31
DQ
23
DQ
15
DQ
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271B | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271BTQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271Q10 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
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