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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16Q2M-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 38/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DID5 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
38
7.33 ECC Result of third selected Sector Spare area data Register (R): FF06h, default=0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000000000)
ECClogSector2
ECCposIO2
7.34 ECC Result of fourth selected Sector Main area data Register (R): FF07h, default=0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000)
ECCposWord3
ECCposIO3
7.35 ECC Result of fourth selected Sector Spare area data Register (R): FF08h, default=0000h
NOTE
:
1. ECCposWord: ECC error position address that selects one of Main area data(256words)
2. ECCposIO: ECC error position address which selects one of sixteen DQs (DQ 0~DQ 15).
3. ECClogSector: ECC error position address that selects one of the 2nd word and LSB of the 3rd word of spare area. Refer to the below table.
ECClogSector Information [5:4]
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000000000)
ECClogSector3
ECCposIO3
ECClogSector
Error Position
00
2nd word
01
3rd word
10, 11
Reserved
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID6 | CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU |
| KH102 | Analog IC |
| STH5000-200 | Industrial Control IC |
| STQ5000-200 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| KH104 | DC to 1.1GHz Linear Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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