參數(shù)資料
型號(hào)： K9K1G08R0B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 128M的× 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 25/41頁(yè)
文件大?。?/td> 1072K
代理商： K9K1G08R0B
FLASH MEMORY
25
K9K1G08U0B
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
Advance
Read ID Operation
CE
CLE
I/O 0 ~ 7
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
00h
ECh
t
READ
Address. 1cycle
A5h
C0h
Multi Plane Code
ID Defintition Table
90 ID : Access command = 90H
Value
Description
1
st
Byte
2
nd
Byte
3
rd
Byte
4
th
Byte
ECh
79h
A5h
C0h
Maker Code
Device Code
Must be don’t -cared
Supports Multi Plane Operation
(Must be don’t-cared for 1.8V device)
Device
Device Code
K9K1G08R0B
78h
K9K1G08B0B
79h
K9K1G08U0B
79h
Device*
Code
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PDF描述
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參數(shù)描述
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