參數(shù)資料
型號： K9K1G08R0B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 128M的× 8位NAND閃存
文件頁數(shù)： 24/41頁
文件大?。?/td> 1072K
代理商： K9K1G08R0B
FLASH MEMORY
24
K9K1G08U0B
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
Advance
Multi-Plane Block Erase Operation into Plane 0~3 or Plane 4~7
Block Erase Setup Command
Erase Confirm Command
Read Multi-Plane
Status Command
Max. 4 times repeatable
60h
A
9
~ A
26
I/O
0
~
7
R/B
Address
60h
Address
60h
Address
60h
Address
D0h
71h
t
BERS
* For Multi-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.
Ex.) Four-Plane Block Erase Operation
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60h
A
17
~ A
24
A
9
~ A
16
DOh
71h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
Page(Row)
Address
t
WC
≈
A
25,
A
26
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9K1G08U0B 128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08Q0A 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0A 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0A1 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G16Q0A 128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9K1G08U0A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0A1 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K1G08U0B-JIB0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB SLC DIE STACK X8 FBGA - Trays
K9K1G08U0M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:nand flash
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*