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參數(shù)資料
| 型號： | K4N26323AE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 13/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | K4N26323AE |
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- 13 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
DQS
0
1
2
3
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5
CK, CK
DQS
DQ
Differntial DQS Timing (CL5, BL4)
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CMD
DQS
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WRITE
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Single DQS Timing (CL5, BL4)
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READ
WRITE
Vref Level
Dout0 Dout1Dout2 Dout3
Din0 Din1 Din2
Din3
Dout0 Dout1Dout2 Dout3
Din0 Din1 Din2
Din3
* To support existing DDR-I user , single DQS is supported under 400MHz by EMRS option, When single DQS is
selected, 4 /DQS pins should be connected to VREF.
500MHz
450MHZ
400MHz
Differential DQS
Single DQS
Differential DQS
Differential DQS
CK, CK
DQS
DQ
CMD
DQS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N27 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N28 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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