參數(shù)資料
型號： IXGA12N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： IXGA12N60CD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXGA 12N60CD1
IXGP 12N60CD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
5
11
S
C
ies
C
oes
C
res
860
100
15
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
32
10
10
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
20
20
60
55
ns
ns
ns
ns
mJ
0.09
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
20
20
0.5
85
85
0.27
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
180
180
0.60
R
thJC
R
thCK
IGBT
1.25
K/W
K/W
0.25
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 15A; T
VJ
= 150 C
T
VJ
= 25 C
1.7
V
V
2.5
I
RM
V
= 100 V; I
=25A; -di
/dt = 100 A/ s
L < 0.05 H; T
VJ
= 100 C
2
2.5
A
t
rr
I
F
= 1 A; -di/dt = 50 A/ s;
V
R
= 30 V T
J
= 25 C
35
ns
R
thJC
Diode
1.6 K/W
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA12N60C HiPerFAST IGBT
IXGA15N100C Lightspeed Series IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為3.5V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA15N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA15N120C Lightspeed Series IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXGA20N100 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA14N120B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Optimized for switching up to 35 KHz
IXGA150N30TC 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA15N100C 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA15N120C 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
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